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  • 发布时间: 2017 - 05 - 24
    应用于运动器材握柄,与制品一体成型,代替PU发泡;节省灌注设备投入,避免后工序作业时产品外观的碰伤损坏。
    用于运动器材握柄。在预型时将高能胶HR-310包裹在粗胚柄部位置,根据需要缠绕1-2圈,放入模具中与制品一体成型。详见操作视频:
  • 发布时间: 2017 - 05 - 24
    应用于网球拍、羽毛球拍等运动器材,各种复合板材、管材的成型。
    用于网球拍、羽毛球拍等运动器材,各种复合板材、管材的成型。根据需要裁切一定量的高能胶,按照结构设计将高能胶HR-312-W包裹在碳纤预浸布的里面,然后放入模具成型。详见操作视频:
  • 发布时间: 2017 - 05 - 24
    应用于无人机、运动器材、轨道交通等所有夹芯结构的成型。
    应用于无人机、运动器材、轨道交通等所有夹芯结构的成型。根据需要裁切一定量的高能胶,放入预型模具中150℃加热10分钟,再根据结构设计包裹碳纤预浸布,然后放入模具成型。详见操作视频:
  • 发布时间: 2017 - 05 - 24
    应用于无人机、医疗器材制品成型。
    应用于无人机、医疗器材制品成型。可以根据制品形状裁切高能胶HR-318,然后包裹碳布预浸料;或者与其他夹芯材料(如蜂窝)配合,提高与碳布的结合力。
  • 发布时间: 2017 - 05 - 24
    应用于网球拍月眉、厚制件板材等成型。
    应用于网球拍月眉、厚制件板材等成型。可以根据制品厚度选择不同规格的高能胶HR-320,依据结构设计包裹碳布预浸料,放入模具成型。详见操作视频:
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ITO蚀刻膏浅谈ITO的特性

日期: 2018-05-31
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  ITO蚀刻膏浅谈ITO的特性

  ITO就是在In2O3里掺入Sn后,Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在,因为In2O3中的In元素是三价,形成SnO2时将贡献一个电子到导带上,同时在一些的缺氧状态下产生氧空穴,形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率,所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。

  目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右,可达5*10-5,已接近金属的电阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征ITO的导电性能,ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例控制,增加氧化锢比例则可提高ITO之透过率,通常Sn2O3: In2O3=1:9,因为氧化锡之厚度超过200Å时,通常透明度已不够好--虽然导电性能很好。

  如用是电流平行流经ITO脱层的情形,其中d为膜厚,I为电流,L1为在电流方向上膜厚层长度,L2为在垂直于电流方向上的膜层长主,当电流流过方形导电膜时,该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜之电阻率,对于给定膜层,P和d可视为定值,P/d,当L1=L2时,其正方形膜层,无论方块大小如何,其电阻均为定值P/d,此即方块电阻定义: R□=P/d,式中R□单位为:奥姆/□(Ω/□),由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低,膜厚越大。

  ITO膜层的电阻对高温和酸碱比较敏感,因为通常的电子产品生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡,而一般在300°C *30min的环境中,会使R□增大2-3倍,而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min(60°C)下也会增到1.1倍左右,由此可知,在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗,若无法避免,则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。

  ITO 膜在电子行业应用中,除了作为电子屏蔽、紫外线吸收阻断、红外线反射阻断等应用外,还有一大应用就是在平板显示器领域作为透明电极线路使用,利用ITO膜制作透明电极线路的方法主要为化学蚀刻、激光刻蚀两种。


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2018 - 08 - 17
ITO蚀刻膏的抗蚀油墨工艺  化学蚀刻法方法,刚好与第一种相反,它是在产品电极图形区域内印制是阻蚀油墨保护起来,然后把产品浸入化学蚀刻液中,让产品电极图形区域外部分与化学蚀刻液完全反应后,再把阻蚀油墨从产品电极图形表面剥离下来,形成产品电极图形。它的线宽和线距做到0.08mm,仍可以达到95%以上的蚀刻良率。这种方法在PCB线路板、薄膜开关、电阻式触摸屏、光伏电池等产品生产上,目前占据主流的地位。  按照最后剥离去的方式不同,阻蚀油墨分为物理剥离型和化学溶液剥离型。其中物理剥离型阻蚀油墨,除了用在电子产品图形制备生产中,更多的是用在产品表面防护上,以阻止外力损伤产品,隔绝外面环境中的水、电、气,防止它们腐蚀产品。其中在电子行业里应用最多的就是电路板绝缘保护胶,和触摸屏生产中的表面保护胶。由于物理剥离型阻蚀油墨,如果在产品转序过程中,需要去除的话,是使用物理外力撕下剥离的,所以一般它的丝印厚度要求在化学溶液剥离型阻蚀油墨的丝印厚度的二到三倍以上,并且在固化程度上,不能象化学溶液剥离型阻蚀油墨一样,只要达到表面固化即可,也要求一定要完全固化,这样在生产的后续加工过程中,边缘部分不会因为挤压而变形破裂,在需要移除的时候,产生边缘残留。在触摸屏的生产过程中,表面保护胶的边缘残留,是影响产品生产效率和品质良品率的主要因素之一。
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2018 - 08 - 13
ITO蚀刻膏的五大优势  1.经济:节省人工,降低物料消耗,提高产品竞争力。  2.环保:针对传统工艺,减少大量废酸碱处理和排放,整个艺无腐蚀性挥发气体,使用过程对人体及环境不构成危害。  3.安全:本产品有良好的亲水性,可用自来水及喷淋方式对与之接触的器具进行清洗,且清洗后无任何残留,避免了传统工艺需用溶剂类洗网水清洗机器和网板时对人和环境的伤害及防火安全。  4.对ITO玻璃或ITO薄膜有良好的覆着力,印刷后无扩散,无收缩,无气泡。  5.简化工艺流程,提高产量和良品率。
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2018 - 08 - 09
蚀刻膏产品的详述  本品呈膏状,无毒、无腐蚀性挥发气体,产品成分对人体、环境不构成危害,符合Rohs 环保标准、通过SGS 认证。  产品针对电子产品电路板表面的导电膜进行刻蚀的新材料,运用在氧化锌膜、铝膜、氧化锡膜、氧化铟锡等导电膜,完成不同材料导电层的蚀刻。适用于液晶显示器、电子触摸屏、太阳能电池等产品。  产品具有简化生产工艺,提高生产效率、节省时间,提高产品质量,且具备无气味、环保、作业场地清洁等特点。
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2018 - 08 - 06
蚀刻膏主要是什么物质?  蚀刻膏根据蚀刻的工件不同配方当然不一样,是金属还是玻璃,是铜材还是不锈钢,其组成肯定是不一样的哦,之所以做成膏状,是为了方便操作而已,其配方是在蚀刻液的基础上加上高岭土之类的填充剂。
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2018 - 07 - 27
刻蚀浆料厂家浅谈刻蚀用到的气体  一、硅的刻蚀  刻蚀硅分为两大类型,采用钝化和刻蚀两种工艺循环进行;另外一种就是连续进行的工艺。但两种类型的工艺气体主要还是采用SF6,通过F自由基对硅进行刻蚀。刻蚀反应式:  3Si+2SF6+2O2→3SiF4↑+2SO2↑  二、二氧化硅的刻蚀  使用CHF3作为刻蚀气体,含碳量低的二氧化硅刻蚀速率快,含碳量多的二氧化硅(如使用TEOS热分解,通过低压化学气相沉积法制备的二氧化硅)则慢,其方程式为:  3SiO2+4CHF3→3SiF4↑+4CO↑+2H2O↑  当反应室通入CHF3时,在辉光放电中发生化学反应为:  CHF3+e→CHF2++F(游离基)+2e  生成的F原子到达SiO2表面时,发生的反应为:  SiO2 +4F→3SiF4↑+O2↑  SiO2分解出来的氧离子在高压下与CHF2+集团反应,生成CO、CO2、H2O等多种挥发性气体,完成对SiO2的刻蚀。  三、氮化硅的刻蚀  使用CF4作为刻蚀气体,其反应方程式为:  Si3N4+12CF4→3SiF4↑+2N2↑+12CF3↑  四、铝的刻蚀  纯铝使用氯等离子体即可以进行刻蚀,然而所有的铝表面都有一层氧化物,氯不能刻蚀这层表面,可以添加BCl3增加溅射量以去除表面的氧化层。刻蚀铝必须采用单独或完全清洁的反应室,不能用刻蚀过硅的反应室直接刻蚀铝,这样容易互相污染。在硅刻蚀...
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2018 - 07 - 24
蚀刻膏化学蚀刻法的实现方式  化学蚀刻法有以下几种方式实现:一种是直接在产品电极图形区域外印制蚀刻膏,等反应完全后,用蚀刻膏溶剂,一般是水清洗干净,留下所需的电极图形。这种方式对于一些线宽和线距要求在0.2mm以上的光电产品如低档TN显示器、电阻式触摸屏、按键式电容屏、光伏电池等,因为不用耗费大量的化学物品,对环境污染影响更小,节省大量水、电费、场地费用,前期投资费用低廉,一般的丝印行业就可以掌握大部分技术等因素,有日趋发展的势头。  它主要的控制点就在于温度对于蚀刻速度的控制,设计时要充分考虑边缘效应这两点上,一般可以用比较简单的工场实地实验,就可以得到比较准备的参数。
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