ITO蚀刻膏工艺流程及其优势 1、对ITO玻璃或ITO薄膜有良好的附着力，印刷后无扩散，无收缩，无气泡，蚀刻率达90%以上; 2、经济：节省人工、降低物料消耗、提高产品竞争力; 3、环保：与传统工艺相比没有大量废酸碱处理和排放，整个工艺简单、优化、环保、操作性强; 4、安全：本品亲水性好，可用自来水对与之接触的器具进行清洗，避免了传统工艺用溶济类液体进行清洗而造成对人和环境的伤害; 5、简化工艺流程，提高产量和良品率; 6、强化生产安排，具备科学合理的生产节奏，提高生产效率和经济效益。
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2018
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发泡芯材（高能胶）是我公司自主研发的首创性产品，目前拥有专利32项，其中发明专利20项，另有2项PCT申请。该产品具有可控的受热膨胀和轻质高强的特性，广泛应用于轨道交通、风电叶片、医疗器械和运动休闲等纤维复材制品的成型。历时一年，经过申报，答辩评审，现场抽查等有关程序，热自膨胀材料-高能胶项目在众多项目中脱颖而出，以其创新性的应用获得评审专家一致好评，顺利获得了厦门市经济和信息化局2017年新材料“首批次”产品及应用项目的奖励。近年来，我司在发泡芯材产品的投入逐步加大，应用领域日趋成熟，客户数量和产品销量均有大幅增加。厦门市新材料产业协会对2017年新材料首批次产品发展情况进行了调研，该项目以其良好的应用发展态势于2018年11月23日通过了厦门市经济和信息化局2017年新材料首批次产品应用示范项目。 正如发泡芯材产品能够获得政府资金的资助，得到行业专家的认可一样，秉承“知行合一，止于至善”的企业文化，相信豪尔新材在新材料创新的道路上一定会越做越好！
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水性蚀刻膏的具体要求 1. 印刷网目为(50T至150T)，网板感光胶务必用水性耐酸型，印刷厚度可在5-15um之间。 2. 玻璃(ITO)蚀刻温度，80-100℃，蚀刻时间5-15分钟。 3. 薄膜(ITO)蚀刻温度，22-80℃，蚀刻时间5-10分钟。 4. 针对不同型号规格材料和生产条件合理选用Ⅰ型、Ⅱ型、Ⅲ型蚀刻膏，大部分膜可以免除烘烤环节，自然温度下很快在5分钟蚀刻完成。在20C°-25C°湿度56%时测试4-6小时不扩散，达到同类产品领先地位。 5. 蚀刻完用清水冲洗即可，如用1%碱液+超声波清洗，效果更佳。 6. 蚀刻膏使用前要搅拌均匀，防止粘度不均匀造成印刷后扩散。 7. 产品如使用中感觉稀，可敞开放置1小时左右即可，如感觉粘度过大，可加适量清水稀释，不影响产品性能。 8. 生产环境温度控制在20-25℃，湿度40-75%为佳。 9. 产品存放在阴凉干燥处(15℃-25℃保存)，避免阳光照射。保质期3-6个月。
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简述ITO蚀刻膏的传统工艺及缺点 传统工艺用耐酸油墨流程(七道工序)： 丝印(耐酸油墨)→晾干→酸液(强酸)浸泡(浸泡腐蚀未被耐酸油墨覆盖的氧化锌、氧化锡及氧化铟锡导电膜)→过清水清洗→碱水(强碱)浸泡清洗(除去耐酸油墨)→初步水洗→纯净水清洗机清洗。 该工艺的主要缺点是： (1)在生产过程中使用强酸和强碱，产生强烈的刺激性气味，腐蚀性强，污染环境、危害操作工人的健康、腐蚀设备。 (2)工艺复杂、生产周期长，良品率难提高，每一个工序的要求苛刻，如：对酸碱度的调控要求较严，难于控制。 (3)工艺流程不够紧凑，耐酸油墨印刷后，可以无限期的延长放入强酸浸泡的时间，影响生产效率。
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水性环保蚀刻膏你知道多少? 水性环保蚀刻膏呈胶状，具有良好的亲水性,无腐蚀性挥发气体，产品构成成分对人体、环境不构成危害，符合Rohs环保标准，适用于触摸屏、太阳能电池、液晶显示器(LCD)等电子产品透明导电膜的蚀刻。产品针对不同环境和使用者的要求分通用I型、II型、III型和特殊型及强力型等品种，可以完成不同材料导电膜的蚀刻。 “减少污染—行动起来”，从国外到国内，防治结合的新举措层出不穷，特别是强化了污染物源头的防控，不断加大监管力度。在触摸屏、手机屏幕以及太阳能电池等的生产制作中，在国内，主要还是传统的生产制作工艺，大量的强酸强碱浸泡浪费许多水资源，由于大量酸碱物质和有机溶剂清洗物的排出，污染了环境，也给城市市政管网带来破坏，此类现象必然会被严格纳入监管之列被取缔或改良。
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蚀刻膏正确的使用流程 使用前要搅拌均匀，印刷同一般印刷要领无特殊条件，膏体因长时间停留在网版上不印刷应收起油墨清洗网版再重新印刷(长时间膏体的停留会有渗透、脏污等问题)，对低方阻的玻璃，及薄膜用蓝刀印刷目的稍微增加膏体厚度，保证有足够的蚀刻能量，高方阻则可用黄刀能保证很高的印刷精度。通过实验可达到0.02mm的线，而且膏体饱满，不段点，无气孔，无渗透。 在湿度70h温度25摄氏度环境下，180分钟不扩散，使生产周转时间，对油性网版，水性网版及钢网网版无伤害，已实验膏体停留超过24小时，网版仍无有脱感光胶现象对钢网无腐蚀现象，印刷及效果如初。
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ITO蚀刻膏中ITO的特性 ITO就是在In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一些缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。 目前ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右，尽量可达5*10-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电性能，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例控制，增加氧化锢比例则可提高ITO之透过率，通常Sn2O3： In2O3=1：9，因为氧化锡之厚度超过200Å时，通常透明度已不够好--虽然导电性能很好。 如用是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜之电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，其正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻定义： R□=P/d，式中R□单位为：奥姆/□(Ω/□)，由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d...
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为什么那么多人喜欢ITO蚀刻膏? 1、提高触摸屏蚀刻精度，线宽最小可达到50um;杜绝各类酸碱性物质对ITO的损害，提高产品良品率，产品性能可完全满足电容屏和电阻屏需求。 2、经济：节省人工、降低物料消耗,提高产品竞争力。 3、环保：针对传统工艺,减少大量废酸碱处理和排放,整个工艺无腐蚀性挥发气体,使用过程对人体及环境不构成危害。 4、安全：本蚀刻膏有良好的亲水性,可用自来水喷淋方式对与之接触的器具进行清洗,且清洗后无任何残留，避免了传统工艺需用溶剂类洗网水清洗机具和网板时对人和环境的伤害及防火安全。 5、对ITO玻璃或ITO薄膜有良好的覆着力,印刷后无扩散,无收缩,无气泡。 6、简化工艺流程,提高产量和良品率。
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二氧化硅蚀刻膏的工艺要求 1、使用前先将干法蚀刻膏搅拌2--5分钟，防止粘度不均匀造成印刷后扩散; 2、丝网网目为100-380目：丝网印刷速度控制在30cm/秒左右，刮刀速度要保证下墨量。丝网制作完毕后严格检查丝网，防止有漏网的缺陷，造成ITO导电膜保留面的损伤; 3、蚀刻反应速度随温度的提升而加快，可根据生产需要做必要的调整; 4、脱膜工艺参数：用自来水或纯水浸泡5-15分钟左右(或经超声波槽浸泡可缩短浸泡时间);
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