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蚀刻膏产品的详述  本品呈膏状,无毒、无腐蚀性挥发气体,产品成分对人体、环境不构成危害,符合Rohs 环保标准、通过SGS 认证。  产品针对电子产品电路板表面的导电膜进行刻蚀的新材料,运用在氧化锌膜、铝膜、氧化锡膜、氧化铟锡等导电膜,完成不同材料导电层的蚀刻。适用于液晶显示器、电子触摸屏、太阳能电池等产品。  产品具有简化生产工艺,提高生产效率、节省时间,提高产品质量,且具备无气味、环保、作业场地清洁等特点。
发布时间: 2018 - 08 - 09
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蚀刻膏主要是什么物质?  蚀刻膏根据蚀刻的工件不同配方当然不一样,是金属还是玻璃,是铜材还是不锈钢,其组成肯定是不一样的哦,之所以做成膏状,是为了方便操作而已,其配方是在蚀刻液的基础上加上高岭土之类的填充剂。
发布时间: 2018 - 08 - 06
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刻蚀浆料厂家简述浆料的内容  浆料是一种具有一般胶体性质的有机物质,在水中能溶解或膨胀,成为黏稠而富有可塑性的糨糊,可作为将染料及其他化学药品带上织物的传递剂,待印花固色完毕,最后即被洗除。浆料本身并不参与印花中一连串的化学反应,而仅起媒介介质作用。  浆料应完全均匀一致,不能有粗大颗粒的未溶物质或纱头、绒毛等,更不能有硬性砂粒或金属碎屑留在浆中,所以,上印前应先预过滤和加速搅拌。
发布时间: 2018 - 08 - 01
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刻蚀浆料厂家浅谈刻蚀用到的气体  一、硅的刻蚀  刻蚀硅分为两大类型,采用钝化和刻蚀两种工艺循环进行;另外一种就是连续进行的工艺。但两种类型的工艺气体主要还是采用SF6,通过F自由基对硅进行刻蚀。刻蚀反应式:  3Si+2SF6+2O2→3SiF4↑+2SO2↑  二、二氧化硅的刻蚀  使用CHF3作为刻蚀气体,含碳量低的二氧化硅刻蚀速率快,含碳量多的二氧化硅(如使用TEOS热分解,通过低压化学气相沉积法制备的二氧化硅)则慢,其方程式为:  3SiO2+4CHF3→3SiF4↑+4CO↑+2H2O↑  当反应室通入CHF3时,在辉光放电中发生化学反应为:  CHF3+e→CHF2++F(游离基)+2e  生成的F原子到达SiO2表面时,发生的反应为:  SiO2 +4F→3SiF4↑+O2↑  SiO2分解出来的氧离子在高压下与CHF2+集团反应,生成CO、CO2、H2O等多种挥发性气体,完成对SiO2的刻蚀。  三、氮化硅的刻蚀  使用CF4作为刻蚀气体,其反应方程式为:  Si3N4+12CF4→3SiF4↑+2N2↑+12CF3↑  四、铝的刻蚀  纯铝使用氯等离子体即可以进行刻蚀,然而所有的铝表面都有一层氧化物,氯不能刻蚀这层表面,可以添加BCl3增加溅射量以去除表面的氧化层。刻蚀铝必须采用单独或完全清洁的反应室,不能用刻蚀过硅的反应室直接刻蚀铝,这样容易互相污染。在硅刻蚀...
发布时间: 2018 - 07 - 27
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蚀刻膏化学蚀刻法的实现方式  化学蚀刻法有以下几种方式实现:一种是直接在产品电极图形区域外印制蚀刻膏,等反应完全后,用蚀刻膏溶剂,一般是水清洗干净,留下所需的电极图形。这种方式对于一些线宽和线距要求在0.2mm以上的光电产品如低档TN显示器、电阻式触摸屏、按键式电容屏、光伏电池等,因为不用耗费大量的化学物品,对环境污染影响更小,节省大量水、电费、场地费用,前期投资费用低廉,一般的丝印行业就可以掌握大部分技术等因素,有日趋发展的势头。  它主要的控制点就在于温度对于蚀刻速度的控制,设计时要充分考虑边缘效应这两点上,一般可以用比较简单的工场实地实验,就可以得到比较准备的参数。
发布时间: 2018 - 07 - 24
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水性环保蚀刻膏的特点及注意事项  1.经济:节省人工,降低物料消耗,提高产品竞争力。  2.环保:针对传统工艺,减少大量废酸碱处理和排放,整个艺无腐蚀性挥发气体,使用过程对人体及环境不构成危害。  3.安全:本产品有良好的亲水性,可用自来水及喷淋方式对与之接触的器具进行清洗,且清洗后无任何残留,避免了传统工艺需用溶剂类洗网水清洗机器和网板时对人和环境的伤害及防火安全。  4.对ITO玻璃或ITO薄膜有良好的覆着力,印刷后无扩散,无收缩,无气泡。  5.简化工艺流程,提高产量和良品率。  注意事项:本产品属酸性,在使用过程中务必避免与金属器具真接接触。如误入眼睛,立即用大量清水冲洗,然后就近入医院做进一步处理。
发布时间: 2018 - 07 - 18
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水性环保蚀刻膏的工艺流程及具体要求  一、工艺流程  ITO玻璃或薄膜在其导电面上需要蚀刻的部位涂布蚀刻膏-烘箱烘烤-自来水清洗-烘干玻璃表面水份-完成。  本工艺流程的特点与传统的蚀刻工艺刚好相反(传统工艺中覆盖油墨部分的导电膜被保留,而本工艺被覆盖蚀刻膏的导电膜部分则被刻蚀掉)。  二、具体要求  1.印刷目的(50T至150T),网板感光胶务必用水性耐酸型,印刷厚度保在15-20UM之间。  2.玻璃(ITO)蚀刻温度,130-150度,蚀刻时间为15-20分钟。  3.薄膜(ITO)蚀刻温度,15-100度,蚀刻时间为15-20分钟。  4.针对不同型叼规格的材料和生产条件合理选用I型,II型,III型蚀刻膏,大部分膜可以免除烘烤环节,自然温度下最快20分钟蚀刻完成。  5.蚀刻完用清水冲洗即可,如用3%碱液+超声波清洗,效果更佳。  6.蚀刻膏使用前要搅拌均匀,防止粘度不均匀造成印刷后扩散。  7.产品如使用中感觉稀,可敞开放置1小时左右媃中,如感觉粘度过大,可加适量清水稀释,不影响产品性能。  8.生产环境温度控制在15-30度,湿度40-75%为佳  9.产品存放在阴凉干燥处,避免阳光照射。保质期12个月。
发布时间: 2018 - 07 - 18
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ITO蚀刻膏的分类  1.蚀刻剂产品根据蚀刻条件的不同分为红、白、蓝三种颜色;  2.蚀刻剂产品封装2小时后蚀刻剂不具有流动性,方便运送和保管;  3.包装灌分别为:5公斤、1公斤、0.1-0.18公斤(样品装)。
发布时间: 2018 - 07 - 11
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2018年第十三届重庆高交会暨第九届国际军博会在重庆隆重召开,本次会议吸引了:中科院、中国科技部等多名行业知名专家及中核集团、中国航天及中船重工、中国兵器等知名军工企业参与,豪尔新材作为复材行业材料界创新工艺的领航者,有幸应邀参加本次参会展论坛。公司在“学习华为,变革前进”进行了深入而全面的改革。提高了研发能力,加速在不同领域特别是在航天航空及新能源汽车方面响应国家号召推陈出新了一系列优制轻质高强的新材料,展品获得了各位行业精英的一致好评。在为期四天的展会中,我司的产品工程师就HSM的实际应用与各行业进行深入交流沟通,其中在无人机、航天航空、船舶制造、新能源汽车、军用雷达天线、等行业的实际应用都取得了相当有价值的共识。各行业专家纷纷表示我司的HSM热自膨胀成型工艺可使产品轻质高强,能耗降低,因其可任意塑型极大地拓宽不同产品的设计思路,是一种非常实用的新型成型工艺。2018年公司在学习华为研发精神的引领导下,豪尔新材的HSM工艺在复材行业中精研细做、做专做精,让我们协手共进共同期待豪尔新材不断地推陈出新,为推动复材行业的进步贡献力量!
发布时间: 2018 - 07 - 10
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